QQ咨询
电话咨询

0512-67266051

订购流程

咨询确定型号和数量——签订合同——收货和发票——付款;

为满足科研人员对样品的观测需求,原位芯片采用先进的微电子工艺,设计并制造了专门用于同步辐射线站及扫描电子显微镜(SEM)的标准氮化硅膜窗格。原位芯片氮化硅膜窗格具有高洁净度,高X-射线透射性,低应力,高强度且膜厚均匀一致的特性,适用于高温(~1000℃)实验以及不同压力环境的测试。目前我们的产品已被全球范围内的科研人员广泛认可且用于其生物、材料、物理、化学等方面的研究。

产品特点


超洁净

 100级洁净环境

 严格选用硅衬底材料

 先进的工艺水平

高强度

 薄膜应力<250Mpa

 薄膜最薄可至10nm

 窗口大小可至2cm

超平整

 粗糙度低于0.5nm

 均匀性优于5%

理化稳定性优良

 耐酸(氢氟酸除外),耐碱,耐有机溶剂

易使用等离子体清洗

X射线透过率高

技术参数


外框项目 参数 外框项目 参数
材料 N型硅 电阻率 1~10Ω-cm
氮化硅膜参数 参数 氮化硅膜参数 参数
材料 LPCVD 氮化硅薄膜 应力 <250MPa
介电常数 6-7 介电强度 10(106 V/cm )
电阻率 1016Ω-cm 粗糙度(Ra) 0.28±5%nm
折射率@630nm 2.15-2.17 粗糙度(Rms) 0.40±5%nm

应用范围


纳米材料,半导体材料,光学晶体材料,功能薄膜材料

胶体,气凝胶,有机材料和纳米颗粒的表征实验

含碳样品分析(光阻剂,聚合物,食品,油品,燃料等)

作为生物、细胞载体

产品规格


此款窗格提供三种不同外框尺寸(5mm,7.5mm,10mm)以供选择,硅衬底厚度均为200µm。

产品编号 膜厚 窗口尺寸 外框尺寸 立即购买
TE025Z 10nm 0.25x0.25mm 5x5mm
TE050Z 10nm 0.5x0.5mm 5x5mm
TE025Y 20nm 0.25x0.25mm 5x5mm
TE050Y 20nm 0.5x0.5mm 5x5mm
TE025A 30nm 0.25x0.25mm 5x5mm
TE050A 30nm 0.5x0.5mm 5x5mm
TE100A 30nm 1x1mm 5x5mm
TE025B 50nm 0.25x0.25mm 5x5mm
TE050B 50nm 0.5x0.5mm 5x5mm
TE100B 50nm 1x1mm 5x5mm
TE150B 50nm 1.5x1.5mm 5x5mm
TE200B 50nm 2x2mm 5x5mm
TE025C 100nm 0.25x0.25mm 5x5mm
TE050C 100nm 0.5x0.5mm 5x5mm
TE100C 100nm 1x1mm 5x5mm
TE150C 100nm 1.5x1.5mm 5x5mm
TE200C 100nm 2x2mm 5x5mm
TE75050C 100nm 0.5x0.5mm 7.5x7.5mm
TE75200C 100nm 2x2mm 7.5x7.5mm
TE100300C(5pcs) 100nm 3x3mm 10x10mm
TE100500C(5pcs) 100nm 5x5mm 10x10mm
TE010D 200nm 0.1x0.1mm 5x5mm
TE025D 200nm 0.25x0.25mm 5x5mm
TE050D 200nm 0.5x0.5mm 5x5mm
TE100D 200nm 1x1mm 5x5mm
TE150D 200nm 1.5x1.5mm 5x5mm
TE200D 200nm 2x2mm 5x5mm
TE250D 200nm 2.5x2.5mm 5x5mm
每盒包含10枚芯片(部分产品除外)